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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3256
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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