RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3256
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link