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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Razões a considerar
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
38
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2353
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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