RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2353
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link