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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1989
2359
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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