Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 39
    Por volta de 28% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 13.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.2 left arrow 9.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.2 left arrow 13.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.1 left arrow 10.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1989 left arrow 2359
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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