Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB против SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 39
    Около 28% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 13.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.2 left arrow 9.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.2 left arrow 13.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.1 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1989 left arrow 2359
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения