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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
45
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3164
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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