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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
11.9
15.8
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3164
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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