RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
55
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
55
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2612
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link