RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
55
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2612
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link