RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
45
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3027
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link