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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
45
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2474
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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