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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
46
Por volta de 2% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
45
46
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2048
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BC1339.M8FM 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-890.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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