Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Pontuação geral
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    45 left arrow 46
    Por volta de 2% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 11.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.3 left arrow 8.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    45 left arrow 46
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.9 left arrow 12.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.1 left arrow 9.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2077 left arrow 2048
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RAM 1
RAM 2

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