Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

45 46

Около 2% меньшая задержка

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.5 11.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.3 8.1

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

45 46
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 12.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2077 2048

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-074.A00LF 8GB

Kingston 9905471-074.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM