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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
17.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
3834
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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