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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
12.2
19.7
写入速度,GB/s
7.9
17.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
3834
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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