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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
46
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
6.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
2256
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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