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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Comparar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
2284
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre 0000 8GB
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