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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
47
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2528
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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