Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    32 left arrow 47
    左右 -47% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.7 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    11.0 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    47 left arrow 32
  • 读取速度,GB/s
    11.8 left arrow 15.7
  • 写入速度,GB/s
    8.0 left arrow 11.0
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 2528
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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