RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
47
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3116
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link