RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
79
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
79
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
1651
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link