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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3256
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
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