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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3256
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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