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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
63
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
63
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
1932
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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