RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
63
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
63
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
1932
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link