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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
47
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3009
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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