RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 47
    左右 -31% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 3009

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB RAM的比较

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
内存RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
内存RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
内存RAM