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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
11.8
17.1
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3009
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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