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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
52
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
43
读取速度,GB/s
2,614.5
11.6
写入速度,GB/s
1,145.9
11.2
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2615
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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