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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
18.2
写入速度,GB/s
2,622.0
13.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2947
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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