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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Comparar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1933
2575
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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