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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
16.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1933
3925
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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