RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
12.0
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1933
3925
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Segnala un bug
×
Bug description
Source link