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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Comparar
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
49
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
8.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
49
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
8.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
5.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1979
1223
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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