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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Confronto
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
49
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
49
Velocità di lettura, GB/s
11.9
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
5.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1979
1223
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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