RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
45
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2786
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Mushkin 996902 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link