RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
47
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
1617
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link