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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2409
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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