RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
2409
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link