RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2409
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link