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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
45
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3091
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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