RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3091
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link