RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1770
3246
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link