RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
39
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1770
3246
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link