RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.3
Скорость записи, Гб/сек
7.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1770
3246
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link