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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
39
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
3246
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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