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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
45
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3601
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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