RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2902
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link