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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
83
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
83
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1752
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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