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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2989
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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